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Transphorm公司目前已经向市场推出了两款伏GaNFET，产品代码分别为TP90HPS和TP90HWS。关键规格参数见下表：两款VFET均属于常闭型器件，通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅(Si)器件，具有显著优势。TP90HWS采用行业标准的3引线TO-封装，TP90HPS采用TO-封装，GSD引脚布局具有设计的便捷性。Transphorm的VGaNFET与现成标准的栅极驱动器兼容，易于设计，适用于LED照明、光伏逆变器、和以及各类伏器件无法胜任的、需要更高直流母线电压的三相工业电源应用。这两款器件均获有JEDEC认证。

TransphormVGaNFET的评估套件使用3.5千瓦DC-AC逆变器，产品代码为TDINVP。该逆变器工作频率为kHz，输入直流电压区间为伏到伏，输出电压为伏交流电。

Transphorm伏GaNFET评估板TDINVP及设置参数这两款VGaNFET的典型性能曲线如下：TP90HWS的典型性能曲线(效率%,vs.输出功率W)TP90HPS的典型性能曲线(效率%,vs.输出功率W)了解更多Transphorm公司V氮化镓功率器件的产品信息，